H5AN4G8NBJR-UHCSK海力士4Gb DDR4 SDRAM存储器深度解析在服务器、台式电脑、高端嵌入式系统以及网络设备等对数据带宽和能效有较高要求的应用领域系统内存的选型直接影响整机的处理能力和功耗表现。DDR4 SDRAM作为当前主流的同步动态随机存取存储器标准相比前代DDR3在数据速率、供电电压和密度方面均有显著提升。SK海力士SK Hynix推出的H5AN4G8NBJR-UHC正是这样一款符合JEDEC DDR4标准的DRAM颗粒它将4Gb存储容量、2400Mbps数据速率以及紧凑的78-ball FBGA封装集于一体为各类计算平台提供了兼顾性能、功耗与密度的高性价比内存解决方案。H5AN4G8NBJR-UHC是SK海力士SK Hynix推出的一款4Gb DDR4 SDRAM采用78-ball FBGA封装7.5mm × 11mm内部组织为512M × 8位最高支持2400Mbps数据速率供电电压为1.2V支持1.14V至1.26V工作范围并提供商业级温度范围0°C至85°C为计算、网络和消费电子等应用提供了高能效的同步动态随机存取存储器解决方案。一、核心架构DDR4 SDRAM与组织架构H5AN4G8NBJR-UHC隶属于SK海力士DDR4 SDRAM产品线基于先进的CMOS工艺制造采用同步接口设计所有地址和控制输入在时钟上升沿被采样。架构参数规格说明存储容量4Gb512MB组织为512M × 8位数据总线宽度8位并行接口Bank Group数量2组每组4个Bank共8个Bank供电电压1.14V ~ 1.26V标称1.2V封装类型FBGA-7878-ball7.5mm × 11mmDDR4相比DDR3的核心改进之一在于引入了Bank Group架构。该器件内部包含2个Bank Group每组4个Bank共计8个Bank。Bank Group架构允许不同组之间的访问并行执行支持更短的tCCD_L列到列延迟从而在突发访问中实现更高的数据吞吐量。8n预取架构是该器件实现高数据速率的关键技术——内部核心频率为300MHz时通过8位预取在I/O接口实现2400Mbps的数据速率。二、速度等级与时序参数型号中的“-UHC”后缀标识了该器件的速度等级和数据速率。在SK海力士DDR4产品命名中-UHC对应DDR4-2400规格。速度等级数据速率时钟频率CAS潜伏期CL-UHC2400 Mbps1200 MHzCL 17典型-VKC2666 Mbps1333 MHz—-XNC3200 Mbps1600 MHz—关键时序参数参考同类DDR4规格访问时间tAC约18nsCAS潜伏期CLCL172400Mbps下典型值刷新周期64ms≤85°C该器件支持自动刷新Auto Refresh和自刷新Self Refresh功能在低功耗模式下可由内部定时器自动维持数据完整性。三、电气参数与功耗DDR4相比DDR3在能效方面的提升是其主要优势之一。参数规格说明供电电压VDD/VDDQ1.14V ~ 1.26V标称1.2V接口标准1.2V CMOS低压差分信号最大工作温度85°C商业级最小工作温度0°C商业级温度等级OTHER / 商业级0°C至85°C1.2V的工作电压相比DDR3的1.5V降低了约20%相比DDR3L的1.35V也降低了约11%。该器件支持标称电压1.2V在保证高数据速率的同时显著降低了功耗。四、封装规格H5AN4G8NBJR-UHC采用78-ball FBGA封装细间距球栅阵列这是DDR4 x8组织颗粒的标准封装形式。封装参数规格封装类型FBGA-78封装尺寸7.5mm × 11mm球间距0.8mm最大高度1.2mmJEDEC代码R-PBGA-B78安装方式表面贴装SMTFBGA封装的特点与优势信号路径短减小信号延迟和电感效应散热性能好通过底部焊球和PCB铜皮散热适合高密度PCB0.8mm球间距支持多层PCB布线占用面积小7.5mm × 11mm紧凑尺寸78-ball vs 96-ballx8组织的DDR4颗粒通常采用78-ball FBGA封装而x16组织则采用96-ball封装。该型号采用的78-ball封装是8位数据总线宽度的标准配置。五、温度等级该器件的工作温度范围标注为0°C至85°C属于商业级温度规格。温度等级后缀温度范围典型应用商业级-UHC0°C ~ 85°C消费电子、台式机、网络设备工业级-UHI推测-40°C ~ 85°C推测工业控制、户外设备扩展级—可支持95°C部分服务器应用对于需要工作在-40°C低温环境的应用建议评估同系列的工业级版本如H5AN4G8NBJR-UHI需确认实际规格。六、典型应用场景基于4Gb容量、2400Mbps数据速率和1.2V低电压的组合H5AN4G8NBJR-UHC适用于以下应用场景6.1 计算与消费电子核心应用应用功能描述关键特性匹配笔记本电脑系统主内存4Gb容量 低功耗台式电脑系统内存扩展2400Mbps高速率游戏机游戏数据缓存高带宽 紧凑封装数字机顶盒视频解码缓冲区低功耗 商业级温度6.2 网络与通信设备应用功能描述关键特性匹配路由器/交换机包缓冲区高带宽 低延迟企业级网关数据包缓存2400Mbps吞吐量网络存储NAS系统内存低功耗 高密度6.3 嵌入式系统应用功能描述关键特性匹配嵌入式单板计算机系统内存标准DDR4接口兼容性工业HMI图形帧缓冲区高带宽 紧凑封装数字标牌视频播放缓存低功耗 商业级温度七、总结H5AN4G8NBJR-UHC作为SK海力士DDR4 SDRAM产品线的x8组织代表型号在4Gb存储容量、2400Mbps数据速率、78-ball FBGA封装的框架内通过Bank Group架构、8n预取、1.2V低电压运行以及自动/自刷新等特性为计算、网络和消费电子等应用提供了兼顾性能、功耗与成本的DDR4内存解决方案。核心优势优势维度具体体现低电压运行1.2V工作电压比DDR3省电约20%高数据速率2400Mbps适合高带宽应用紧凑封装7.5mm × 11mm FBGA-78适合空间受限设计高密度4Gb容量单颗512MB成熟产品DDR4生态成熟接口兼容性广泛x8组织标准8位数据宽度与多数控制器兼容选型注意事项生命周期状态部分来源将该型号列为Obsolete建议确认供货状态后再用于新设计工业温度需求商业级0°C~85°C不适用于-40°C低温环境速度需求如需更高速度2666/3200Mbps评估-VKC/-XNC版本位宽需求如需16位总线评估H5AN4G6NBJR-UHCx16组织H5AN4G8NBJR-UHC | SK Hynix | 海力士 | DDR4 SDRAM | 4Gb | 512M×8 | 2400Mbps | FBGA-78 | 7.5×11mm | 1.2V | 0°C~85°C | 商业级 | Bank Group | 8n预取 | 自动刷新 | 自刷新 | 计算 | 网络 | 嵌入式 | 系统内存 | 外部RAM | RoHS | EAR99Email: carrotaunytorchips.com
H5AN4G8NBJR-UHCSK海力士4Gb DDR4 SDRAM存储器深度解析在服务器、台式电脑、高端嵌入式系统以及网络设备等对数据带宽和能效有较高要求的应用领域系统内存的选型直接影响整机的处理能力和功耗表现。DDR4 SDRAM作为当前主流的同步动态随机存取存储器标准相比前代DDR3在数据速率、供电电压和密度方面均有显著提升。SK海力士SK Hynix推出的H5AN4G8NBJR-UHC正是这样一款符合JEDEC DDR4标准的DRAM颗粒它将4Gb存储容量、2400Mbps数据速率以及紧凑的78-ball FBGA封装集于一体为各类计算平台提供了兼顾性能、功耗与密度的高性价比内存解决方案。H5AN4G8NBJR-UHC是SK海力士SK Hynix推出的一款4Gb DDR4 SDRAM采用78-ball FBGA封装7.5mm × 11mm内部组织为512M × 8位最高支持2400Mbps数据速率供电电压为1.2V支持1.14V至1.26V工作范围并提供商业级温度范围0°C至85°C为计算、网络和消费电子等应用提供了高能效的同步动态随机存取存储器解决方案。一、核心架构DDR4 SDRAM与组织架构H5AN4G8NBJR-UHC隶属于SK海力士DDR4 SDRAM产品线基于先进的CMOS工艺制造采用同步接口设计所有地址和控制输入在时钟上升沿被采样。架构参数规格说明存储容量4Gb512MB组织为512M × 8位数据总线宽度8位并行接口Bank Group数量2组每组4个Bank共8个Bank供电电压1.14V ~ 1.26V标称1.2V封装类型FBGA-7878-ball7.5mm × 11mmDDR4相比DDR3的核心改进之一在于引入了Bank Group架构。该器件内部包含2个Bank Group每组4个Bank共计8个Bank。Bank Group架构允许不同组之间的访问并行执行支持更短的tCCD_L列到列延迟从而在突发访问中实现更高的数据吞吐量。8n预取架构是该器件实现高数据速率的关键技术——内部核心频率为300MHz时通过8位预取在I/O接口实现2400Mbps的数据速率。二、速度等级与时序参数型号中的“-UHC”后缀标识了该器件的速度等级和数据速率。在SK海力士DDR4产品命名中-UHC对应DDR4-2400规格。速度等级数据速率时钟频率CAS潜伏期CL-UHC2400 Mbps1200 MHzCL 17典型-VKC2666 Mbps1333 MHz—-XNC3200 Mbps1600 MHz—关键时序参数参考同类DDR4规格访问时间tAC约18nsCAS潜伏期CLCL172400Mbps下典型值刷新周期64ms≤85°C该器件支持自动刷新Auto Refresh和自刷新Self Refresh功能在低功耗模式下可由内部定时器自动维持数据完整性。三、电气参数与功耗DDR4相比DDR3在能效方面的提升是其主要优势之一。参数规格说明供电电压VDD/VDDQ1.14V ~ 1.26V标称1.2V接口标准1.2V CMOS低压差分信号最大工作温度85°C商业级最小工作温度0°C商业级温度等级OTHER / 商业级0°C至85°C1.2V的工作电压相比DDR3的1.5V降低了约20%相比DDR3L的1.35V也降低了约11%。该器件支持标称电压1.2V在保证高数据速率的同时显著降低了功耗。四、封装规格H5AN4G8NBJR-UHC采用78-ball FBGA封装细间距球栅阵列这是DDR4 x8组织颗粒的标准封装形式。封装参数规格封装类型FBGA-78封装尺寸7.5mm × 11mm球间距0.8mm最大高度1.2mmJEDEC代码R-PBGA-B78安装方式表面贴装SMTFBGA封装的特点与优势信号路径短减小信号延迟和电感效应散热性能好通过底部焊球和PCB铜皮散热适合高密度PCB0.8mm球间距支持多层PCB布线占用面积小7.5mm × 11mm紧凑尺寸78-ball vs 96-ballx8组织的DDR4颗粒通常采用78-ball FBGA封装而x16组织则采用96-ball封装。该型号采用的78-ball封装是8位数据总线宽度的标准配置。五、温度等级该器件的工作温度范围标注为0°C至85°C属于商业级温度规格。温度等级后缀温度范围典型应用商业级-UHC0°C ~ 85°C消费电子、台式机、网络设备工业级-UHI推测-40°C ~ 85°C推测工业控制、户外设备扩展级—可支持95°C部分服务器应用对于需要工作在-40°C低温环境的应用建议评估同系列的工业级版本如H5AN4G8NBJR-UHI需确认实际规格。六、典型应用场景基于4Gb容量、2400Mbps数据速率和1.2V低电压的组合H5AN4G8NBJR-UHC适用于以下应用场景6.1 计算与消费电子核心应用应用功能描述关键特性匹配笔记本电脑系统主内存4Gb容量 低功耗台式电脑系统内存扩展2400Mbps高速率游戏机游戏数据缓存高带宽 紧凑封装数字机顶盒视频解码缓冲区低功耗 商业级温度6.2 网络与通信设备应用功能描述关键特性匹配路由器/交换机包缓冲区高带宽 低延迟企业级网关数据包缓存2400Mbps吞吐量网络存储NAS系统内存低功耗 高密度6.3 嵌入式系统应用功能描述关键特性匹配嵌入式单板计算机系统内存标准DDR4接口兼容性工业HMI图形帧缓冲区高带宽 紧凑封装数字标牌视频播放缓存低功耗 商业级温度七、总结H5AN4G8NBJR-UHC作为SK海力士DDR4 SDRAM产品线的x8组织代表型号在4Gb存储容量、2400Mbps数据速率、78-ball FBGA封装的框架内通过Bank Group架构、8n预取、1.2V低电压运行以及自动/自刷新等特性为计算、网络和消费电子等应用提供了兼顾性能、功耗与成本的DDR4内存解决方案。核心优势优势维度具体体现低电压运行1.2V工作电压比DDR3省电约20%高数据速率2400Mbps适合高带宽应用紧凑封装7.5mm × 11mm FBGA-78适合空间受限设计高密度4Gb容量单颗512MB成熟产品DDR4生态成熟接口兼容性广泛x8组织标准8位数据宽度与多数控制器兼容选型注意事项生命周期状态部分来源将该型号列为Obsolete建议确认供货状态后再用于新设计工业温度需求商业级0°C~85°C不适用于-40°C低温环境速度需求如需更高速度2666/3200Mbps评估-VKC/-XNC版本位宽需求如需16位总线评估H5AN4G6NBJR-UHCx16组织H5AN4G8NBJR-UHC | SK Hynix | 海力士 | DDR4 SDRAM | 4Gb | 512M×8 | 2400Mbps | FBGA-78 | 7.5×11mm | 1.2V | 0°C~85°C | 商业级 | Bank Group | 8n预取 | 自动刷新 | 自刷新 | 计算 | 网络 | 嵌入式 | 系统内存 | 外部RAM | RoHS | EAR99Email: carrotaunytorchips.com
