一、晶圆清洗核心难点为什么不能使用普通工业超声波清洗设备硅晶圆、化合物半导体晶圆表面图形结构精密、薄膜脆弱相比通用五金工件清洗存在五大严苛挑战普通超声设备极易造成批量报废易产生微观损伤低频大功率超声波剧烈空化冲击力过大容易造成晶圆表面氧化层剥落、光刻胶破损、微细线路受损先进制程晶圆对超声能量密度、频率区间要求极高。纳米颗粒难以彻底清除晶圆污染物多为亚微米、纳米级硅屑、磨料颗粒常规声场存在驻波、清洗盲区剥离后的杂质容易再次吸附形成二次污染。极易产生水印、离子残留漂洗水质不达标、干燥工艺不合理烘干后形成水印、金属离子析出在后续高温工艺中诱发器件失效。严控交叉污染风险多片晶圆同槽清洗、槽体材质析出杂质、管路污染会造成整片批次晶圆相互污染半导体制程零容忍。适配洁净车间环境要求设备腔体、管路、密封材料必须满足无尘车间规范低挥发、耐腐蚀可配套 18.2MΩ・cm 超纯水系统。因此半导体晶圆必须选用定制化高频晶圆超声波清洗设备针对硅片尺寸、制程工艺、污染物类型进行声场、结构、工艺一体化设计。
