一、产品概述RB306B 是上海晶准电子推出的单节锂离子、锂聚合物电池保护芯片芯片内部集成典型 48mΩ 功率 MOSFET无需外接 MOS 功率器件采用 SOT23‑5 通用贴片封装。芯片支持耐受 9V 充电器电压具备二重放电过流检测集成全套电芯保护功能同时支持 0V 充电能够对深度放空锁死的电芯进行激活恢复。外围电路精简搭配 1 颗电阻与 1 颗电容即可工作电阻取值 1kΩ‑2kΩ点焊应用推荐选用 1kΩ 电阻电容取值 0.1‑1uF接上电芯实现自动激活省去额外复位电路精简 BOM降低物料采购以及 SMT 贴片加工成本。芯片满足 RoHS 无铅环保规范HBM 人体模型静电防护等级 4000V25℃条件下最大功耗 400mW适合中小电流的小型消费类单串锂电池包。二、关键电气参数除非特殊说明测试条件为环境温度 27℃VDD 供电电压 3.7V。电压阈值过充检测典型 4.30V过充解除典型 4.10V过放检测典型 2.45V过放解除典型 3.00V。电流保护二重放电过流检测过放电流 1 典型 7.0A保护延时 6ms应对普通过载工况短路保护典型 12A保护延时 150μS端口短路快速切断放电回路充电过流典型 6.0A限制充电回路最大输入电流。功耗指标正常工作模式静态电流典型 1.4μA休眠模式休眠电流典型 0.6μA电池长期静置状态芯片自身损耗低延缓电池亏电。MOSFET 参数VM‑GND 导通内阻典型 48mΩ。温度保护过温保护检测点 155℃过温释放恢复温度 120℃芯片结温超标直接切断全部充放电通路。保护延时过充检测延时 100ms过放检测延时 100ms过放电流 1 延时 6ms短路保护延时 150μS。极限电气额定值VDD 最大供电 8VVM 引脚电压‑8V11V工作结温‑40℃145℃存储温度‑55℃~145℃。三、引脚定义SOT23‑51 脚NC 空引脚PCB 设计悬空2 脚 GND芯片地直接连接锂电池电芯负极3 脚 VDD电芯电压采样引脚采集电池电压执行过充、过放判断4、5 脚 VM充放电负端检测引脚双引脚并联接电池输出负端 P‑采集充放电与短路电流信号。外围最简应用配置电池正极串联 1kΩ 限流电阻接入 VDD 引脚VDD 引脚与 GND 之间并联 0.1μF 陶瓷滤波电容VM 引脚直连电池输出负端 P‑。点焊场景优先选用 1kΩ 电阻电阻实现 VDD 回路限流电容滤除采样线路高频干扰保障电芯电压采样稳定。四、工作模式与保护逻辑RB306B 拥有正常、充电、放电、休眠四种工作状态芯片依据电池电压、充放电工况自动切换。具备 0V 充电功能电池电压低于 2.3V 进入休眠MOS 管关断依靠芯片体二极管完成充电0V 充电工况充电电流必须控制在 200mA 以内避免芯片与电芯受损。休眠状态接入充电器即可自动唤醒无需外部复位元器件。正常模式电池电压、电流全部处于安全区间充放电通路全部导通电池可以自由充放电为设备常规运行状态。过充保护充电电压超过 4.30V持续 100ms 延时后关断充电 MOS避免电芯过充鼓包。接入充电器条件下电压回落至 4.10V 恢复充电未接充电器时电压降到过充阈值之下自动恢复电池电压持续超标芯片通过内部二极管执行自放电。过放保护放电电压低于 2.45V 并维持 100ms芯片切断放电通路防止电芯深度过放造成容量永久损伤。VDD 电压下降至 2.0V 以下进入休眠接入充电器电池电压回升至 3.00V 即可退出休眠恢复工作。二重放电过流保护一档放电过流搭配短路保护故障配置独立延时区分真实故障与瞬时冲击尖峰。7.0A/6ms 处理中等过载12A/150μS 实现短路快速关断。发生过流或者短路故障后VM 引脚电平满足复位条件保护自动解除。充电过流保护充电电流大于 6.0A 时关断充电通路移除充电器或者接入负载条件达标自动释放保护。过温保护芯片内部结温达到 155℃切断充放电全部回路温度冷却下降至 120℃之后自动恢复工作。五、PCB 设计要点SOT23‑5 封装最大功耗 400mW属于中小电流等级功率回路铜皮做加宽处理降低铜皮阻抗减少大电流工作下的发热不适合长时间持续大电流负载VM 两个引脚建议并联使用减小通路阻抗。VDD 侧限流电阻、滤波电容尽量靠近 VDD、GND 引脚缩短采样走线降低噪声耦合保障电芯电压采样精度点焊应用 R1 选用 1kΩ。VM 检测引脚走线尽量短远离大功率功率走线降低走线寄生电阻与开关噪声保证电流检测准确度。功率走线与采样信号线分区布局、相互远离规避功率回路开关噪声干扰电压、电流采样。如果使用 0V 充电激活功能整机硬件必须增加限流电路保证休眠状态充电电流控制在 200mA 以内。六、产品核心亮点SOT23‑5 通用贴片封装采购、SMT 贴片加工便捷内置 MOSFET 无需外接功率管外围仅一颗电阻一颗电容接电芯自动激活点焊场景电阻有明确选型指引简化 BOM 与外围电路。二重过流 短路保护架构各档位配置独立延时短路响应迅速芯片可耐受 9V 充电器输入适配器兼容性良好。功耗表现良好工作电流 1.4μA休眠电流 0.6μA对于长期存放的电池产品有效降低芯片自身耗电缓解电池静置亏电。支持 0V 充电功能能够对深度过放锁死的锂电池做激活修复全套电压、电流、温度保护保护带延时滤波抵抗瞬时尖峰降低误保护概率4000V HBM 静电防护提升整机抗静电能力。七、典型应用场景适用于单节锂离子电池组、单串锂聚合物电池组广泛用于小型数码、便携小家电、需要点焊工艺的中小电流消费类锂电产品。八、产品小结RB306B 为晶准 SOT23‑5 封装单串锂电集成保护 IC内置典型 48mΩ 功率 MOSFET实现二重放电过流检测工作静态电流 1.4μA休眠电流 0.6μA支持 0V 充电兼容 9V 充电器电压接电芯自动激活外围配置一阻一容点焊应用电阻推荐 1kΩ。封装通用性强过流能力中等保护功能完整适合点焊工艺、中小电流单节锂、锂聚合物电池包保护方案。
一、产品概述RB306B 是上海晶准电子推出的单节锂离子、锂聚合物电池保护芯片芯片内部集成典型 48mΩ 功率 MOSFET无需外接 MOS 功率器件采用 SOT23‑5 通用贴片封装。芯片支持耐受 9V 充电器电压具备二重放电过流检测集成全套电芯保护功能同时支持 0V 充电能够对深度放空锁死的电芯进行激活恢复。外围电路精简搭配 1 颗电阻与 1 颗电容即可工作电阻取值 1kΩ‑2kΩ点焊应用推荐选用 1kΩ 电阻电容取值 0.1‑1uF接上电芯实现自动激活省去额外复位电路精简 BOM降低物料采购以及 SMT 贴片加工成本。芯片满足 RoHS 无铅环保规范HBM 人体模型静电防护等级 4000V25℃条件下最大功耗 400mW适合中小电流的小型消费类单串锂电池包。二、关键电气参数除非特殊说明测试条件为环境温度 27℃VDD 供电电压 3.7V。电压阈值过充检测典型 4.30V过充解除典型 4.10V过放检测典型 2.45V过放解除典型 3.00V。电流保护二重放电过流检测过放电流 1 典型 7.0A保护延时 6ms应对普通过载工况短路保护典型 12A保护延时 150μS端口短路快速切断放电回路充电过流典型 6.0A限制充电回路最大输入电流。功耗指标正常工作模式静态电流典型 1.4μA休眠模式休眠电流典型 0.6μA电池长期静置状态芯片自身损耗低延缓电池亏电。MOSFET 参数VM‑GND 导通内阻典型 48mΩ。温度保护过温保护检测点 155℃过温释放恢复温度 120℃芯片结温超标直接切断全部充放电通路。保护延时过充检测延时 100ms过放检测延时 100ms过放电流 1 延时 6ms短路保护延时 150μS。极限电气额定值VDD 最大供电 8VVM 引脚电压‑8V11V工作结温‑40℃145℃存储温度‑55℃~145℃。三、引脚定义SOT23‑51 脚NC 空引脚PCB 设计悬空2 脚 GND芯片地直接连接锂电池电芯负极3 脚 VDD电芯电压采样引脚采集电池电压执行过充、过放判断4、5 脚 VM充放电负端检测引脚双引脚并联接电池输出负端 P‑采集充放电与短路电流信号。外围最简应用配置电池正极串联 1kΩ 限流电阻接入 VDD 引脚VDD 引脚与 GND 之间并联 0.1μF 陶瓷滤波电容VM 引脚直连电池输出负端 P‑。点焊场景优先选用 1kΩ 电阻电阻实现 VDD 回路限流电容滤除采样线路高频干扰保障电芯电压采样稳定。四、工作模式与保护逻辑RB306B 拥有正常、充电、放电、休眠四种工作状态芯片依据电池电压、充放电工况自动切换。具备 0V 充电功能电池电压低于 2.3V 进入休眠MOS 管关断依靠芯片体二极管完成充电0V 充电工况充电电流必须控制在 200mA 以内避免芯片与电芯受损。休眠状态接入充电器即可自动唤醒无需外部复位元器件。正常模式电池电压、电流全部处于安全区间充放电通路全部导通电池可以自由充放电为设备常规运行状态。过充保护充电电压超过 4.30V持续 100ms 延时后关断充电 MOS避免电芯过充鼓包。接入充电器条件下电压回落至 4.10V 恢复充电未接充电器时电压降到过充阈值之下自动恢复电池电压持续超标芯片通过内部二极管执行自放电。过放保护放电电压低于 2.45V 并维持 100ms芯片切断放电通路防止电芯深度过放造成容量永久损伤。VDD 电压下降至 2.0V 以下进入休眠接入充电器电池电压回升至 3.00V 即可退出休眠恢复工作。二重放电过流保护一档放电过流搭配短路保护故障配置独立延时区分真实故障与瞬时冲击尖峰。7.0A/6ms 处理中等过载12A/150μS 实现短路快速关断。发生过流或者短路故障后VM 引脚电平满足复位条件保护自动解除。充电过流保护充电电流大于 6.0A 时关断充电通路移除充电器或者接入负载条件达标自动释放保护。过温保护芯片内部结温达到 155℃切断充放电全部回路温度冷却下降至 120℃之后自动恢复工作。五、PCB 设计要点SOT23‑5 封装最大功耗 400mW属于中小电流等级功率回路铜皮做加宽处理降低铜皮阻抗减少大电流工作下的发热不适合长时间持续大电流负载VM 两个引脚建议并联使用减小通路阻抗。VDD 侧限流电阻、滤波电容尽量靠近 VDD、GND 引脚缩短采样走线降低噪声耦合保障电芯电压采样精度点焊应用 R1 选用 1kΩ。VM 检测引脚走线尽量短远离大功率功率走线降低走线寄生电阻与开关噪声保证电流检测准确度。功率走线与采样信号线分区布局、相互远离规避功率回路开关噪声干扰电压、电流采样。如果使用 0V 充电激活功能整机硬件必须增加限流电路保证休眠状态充电电流控制在 200mA 以内。六、产品核心亮点SOT23‑5 通用贴片封装采购、SMT 贴片加工便捷内置 MOSFET 无需外接功率管外围仅一颗电阻一颗电容接电芯自动激活点焊场景电阻有明确选型指引简化 BOM 与外围电路。二重过流 短路保护架构各档位配置独立延时短路响应迅速芯片可耐受 9V 充电器输入适配器兼容性良好。功耗表现良好工作电流 1.4μA休眠电流 0.6μA对于长期存放的电池产品有效降低芯片自身耗电缓解电池静置亏电。支持 0V 充电功能能够对深度过放锁死的锂电池做激活修复全套电压、电流、温度保护保护带延时滤波抵抗瞬时尖峰降低误保护概率4000V HBM 静电防护提升整机抗静电能力。七、典型应用场景适用于单节锂离子电池组、单串锂聚合物电池组广泛用于小型数码、便携小家电、需要点焊工艺的中小电流消费类锂电产品。八、产品小结RB306B 为晶准 SOT23‑5 封装单串锂电集成保护 IC内置典型 48mΩ 功率 MOSFET实现二重放电过流检测工作静态电流 1.4μA休眠电流 0.6μA支持 0V 充电兼容 9V 充电器电压接电芯自动激活外围配置一阻一容点焊应用电阻推荐 1kΩ。封装通用性强过流能力中等保护功能完整适合点焊工艺、中小电流单节锂、锂聚合物电池包保护方案。
