一、芯片概述EG2108 是高压半桥栅极驱动 IC内部集成逻辑处理、电平位移、脉冲滤波、死区控制、VCC/VB 双路欠压保护电路仅需单路 10‑20V 供电依靠外部自举二极管 自举电容实现高端悬浮驱动最高悬浮耐压600V可直接被 3.3V/5V 的 MCU IO 驱动适合中小功率开关电源、无刷电机、DC‑DC 变换场景。核心特性高端悬浮耐压600V自举悬浮电源架构逻辑电平兼容3.3V、5V MCU 直接驱动最大工作频率500kHz供电 VCC10V‑20V驱动电流拉电流0.3A灌电流‑0.6A保护VCC、VB 双路欠压锁定内置死区时间典型 470ns防止上下管直通输入引脚内置 200K 下拉电阻输入悬空时自动关闭 HO、LO 输出功率管关断逻辑互锁HIN、LIN 同时为高时两路输出全部关闭避免桥臂直通风险。二、引脚解析SOP‑8引脚号引脚名类型功能说明1VCC电源芯片供电10‑20V就近接 1μF 高频去耦电容到 GND抑制噪声2HIN输入高端逻辑输入高电平有效控制 HO 输出3LIN输入低端逻辑输入高电平有效控制 LO 输出4GND地芯片功率地5LO输出低端 MOS 栅极驱动输出6VS悬浮地高端悬浮参考地接上下管连接点半桥中点 OUT7HO输出高端 MOS 栅极驱动输出8VB悬浮电源高端自举电源接自举电容正极、自举二极管阴极重点HIN、LIN 均高电平有效和部分进口驱动逻辑有差异软件编写需要注意。三、逻辑真值表HINLINHO (上管)LO (下管)说明0000上下管全部关断0101下管导通上管关断1010上管导通下管关断1100互锁保护全部关断防止直通芯片内部自带死区 DT典型 470ns范围 400‑640nsHIN/LIN 切换时自动插入死区不需要软件额外加死区时间。四、内部结构与工作原理输入级HIN、LIN 内置 200K 下拉MCU 输出悬空时引脚自动拉低输出关闭实现安全状态逻辑与死区单元接收两路逻辑信号做互锁判断插入硬件死区禁止上下管同时导通电平位移HVIC把低端域逻辑信号转换到 600V 悬浮域实现高端驱动控制欠压保护单元同时监控 VCC低端电源、VB自举悬浮电源电源低于阈值时关断驱动输出图腾柱输出级HO高端悬浮域图腾柱输出LO低端域图腾柱输出拉电流 0.3A灌电流 0.6A用于给 MOS 栅极充放电。自举工作原理重点EG2108 只需要一路 VCC 供电高端驱动电源依靠自举电路生成下管 Q2 导通时VS 电位接近 GNDVCC 通过自举二极管 D3 向自举电容充电电容电压充至约 VCC上管 Q1 导通时VS 抬升到高压母线电位自举电容两端电压保持 VCC作为 VB‑VS 之间驱动电源驱动上管 MOS自举电容、自举二极管是必不可少的外围器件不能省略。二极管需要选用快恢复二极管减小反向恢复损耗。五、关键电气参数1. 欠压保护阈值VCC 欠压开启典型 8.7V关断典型 8.0VVB自举电源欠压开启典型 8.6V关断典型 8.0V2.开关时序参数VCC15V负载 1nF参数典型值最大值开通延时 Ton200ns300ns关断延时 Toff200ns300ns上升时间 Tr70ns150ns下降时间 Tf35ns70ns内置死区 DT470ns640nsHO 与 LO 通道延时匹配适合半桥拓扑。3. 极限参数VB 最大悬浮电压600VVCC 最大电压20V工作温度‑40℃~125℃焊接温度300℃10 秒以内浙江屹晶微...。六、典型应用电路要点典型电路构成EG2108 自举二极管 D3 自举电容 C2 栅极电阻 R1/R2 上下桥 N 沟 MOS 管。VCC 电源10‑20V引脚就近放置 1μF 陶瓷去耦电容栅极电阻 R1、R2MOS 栅极串联一般 10‑50Ω抑制振荡兼顾开关速度自举二极管 D3选用快恢复二极管耐压≥600V不要普通整流二极管减少反向恢复损耗自举电容 C2陶瓷电容容值一般 100nF‑470nF耐压要高于 VCC容值太小占空比高时电压跌落严重太大下管导通时间短会充不满VS 走线半桥中点走线尽量短减小寄生电感抑制 dv/dt 干扰输入逻辑HIN、LIN 高电平 2.8V 识别为高低于 1.5V 识别低3.3V/5V 单片机 IO 可直接驱动无需电平转换。七、常见故障与调试提示上管不工作下管正常排查自举二极管、自举电容观察 VB‑VS 电压如果 VB 欠压高端输出被保护关断MOS 发热严重检查栅极电阻取值自举电压是否跌落VCC 电压是否低于 10V输出异常不受 MCU 控制HIN/LIN 悬空时输出会关闭确认 MCU 引脚配置为推挽输出不要高阻态高低管直通烧毁EG2108 硬件互锁只针对 HIN1、LIN1软件不能输出上下管同时导通的 PWM硬件死区固定 470ns不能关闭。八、适用场景高压快充、开关电源、半桥 DC‑DC 变换器无刷电机驱动器、变频水泵无线充电功率驱动局限无独立使能引脚内置死区固定不可修改驱动峰值电流 0.3A/0.6A适合中小功率 MOS超大功率 MOS 需要外加推挽缓冲。
一、芯片概述EG2108 是高压半桥栅极驱动 IC内部集成逻辑处理、电平位移、脉冲滤波、死区控制、VCC/VB 双路欠压保护电路仅需单路 10‑20V 供电依靠外部自举二极管 自举电容实现高端悬浮驱动最高悬浮耐压600V可直接被 3.3V/5V 的 MCU IO 驱动适合中小功率开关电源、无刷电机、DC‑DC 变换场景。核心特性高端悬浮耐压600V自举悬浮电源架构逻辑电平兼容3.3V、5V MCU 直接驱动最大工作频率500kHz供电 VCC10V‑20V驱动电流拉电流0.3A灌电流‑0.6A保护VCC、VB 双路欠压锁定内置死区时间典型 470ns防止上下管直通输入引脚内置 200K 下拉电阻输入悬空时自动关闭 HO、LO 输出功率管关断逻辑互锁HIN、LIN 同时为高时两路输出全部关闭避免桥臂直通风险。二、引脚解析SOP‑8引脚号引脚名类型功能说明1VCC电源芯片供电10‑20V就近接 1μF 高频去耦电容到 GND抑制噪声2HIN输入高端逻辑输入高电平有效控制 HO 输出3LIN输入低端逻辑输入高电平有效控制 LO 输出4GND地芯片功率地5LO输出低端 MOS 栅极驱动输出6VS悬浮地高端悬浮参考地接上下管连接点半桥中点 OUT7HO输出高端 MOS 栅极驱动输出8VB悬浮电源高端自举电源接自举电容正极、自举二极管阴极重点HIN、LIN 均高电平有效和部分进口驱动逻辑有差异软件编写需要注意。三、逻辑真值表HINLINHO (上管)LO (下管)说明0000上下管全部关断0101下管导通上管关断1010上管导通下管关断1100互锁保护全部关断防止直通芯片内部自带死区 DT典型 470ns范围 400‑640nsHIN/LIN 切换时自动插入死区不需要软件额外加死区时间。四、内部结构与工作原理输入级HIN、LIN 内置 200K 下拉MCU 输出悬空时引脚自动拉低输出关闭实现安全状态逻辑与死区单元接收两路逻辑信号做互锁判断插入硬件死区禁止上下管同时导通电平位移HVIC把低端域逻辑信号转换到 600V 悬浮域实现高端驱动控制欠压保护单元同时监控 VCC低端电源、VB自举悬浮电源电源低于阈值时关断驱动输出图腾柱输出级HO高端悬浮域图腾柱输出LO低端域图腾柱输出拉电流 0.3A灌电流 0.6A用于给 MOS 栅极充放电。自举工作原理重点EG2108 只需要一路 VCC 供电高端驱动电源依靠自举电路生成下管 Q2 导通时VS 电位接近 GNDVCC 通过自举二极管 D3 向自举电容充电电容电压充至约 VCC上管 Q1 导通时VS 抬升到高压母线电位自举电容两端电压保持 VCC作为 VB‑VS 之间驱动电源驱动上管 MOS自举电容、自举二极管是必不可少的外围器件不能省略。二极管需要选用快恢复二极管减小反向恢复损耗。五、关键电气参数1. 欠压保护阈值VCC 欠压开启典型 8.7V关断典型 8.0VVB自举电源欠压开启典型 8.6V关断典型 8.0V2.开关时序参数VCC15V负载 1nF参数典型值最大值开通延时 Ton200ns300ns关断延时 Toff200ns300ns上升时间 Tr70ns150ns下降时间 Tf35ns70ns内置死区 DT470ns640nsHO 与 LO 通道延时匹配适合半桥拓扑。3. 极限参数VB 最大悬浮电压600VVCC 最大电压20V工作温度‑40℃~125℃焊接温度300℃10 秒以内浙江屹晶微...。六、典型应用电路要点典型电路构成EG2108 自举二极管 D3 自举电容 C2 栅极电阻 R1/R2 上下桥 N 沟 MOS 管。VCC 电源10‑20V引脚就近放置 1μF 陶瓷去耦电容栅极电阻 R1、R2MOS 栅极串联一般 10‑50Ω抑制振荡兼顾开关速度自举二极管 D3选用快恢复二极管耐压≥600V不要普通整流二极管减少反向恢复损耗自举电容 C2陶瓷电容容值一般 100nF‑470nF耐压要高于 VCC容值太小占空比高时电压跌落严重太大下管导通时间短会充不满VS 走线半桥中点走线尽量短减小寄生电感抑制 dv/dt 干扰输入逻辑HIN、LIN 高电平 2.8V 识别为高低于 1.5V 识别低3.3V/5V 单片机 IO 可直接驱动无需电平转换。七、常见故障与调试提示上管不工作下管正常排查自举二极管、自举电容观察 VB‑VS 电压如果 VB 欠压高端输出被保护关断MOS 发热严重检查栅极电阻取值自举电压是否跌落VCC 电压是否低于 10V输出异常不受 MCU 控制HIN/LIN 悬空时输出会关闭确认 MCU 引脚配置为推挽输出不要高阻态高低管直通烧毁EG2108 硬件互锁只针对 HIN1、LIN1软件不能输出上下管同时导通的 PWM硬件死区固定 470ns不能关闭。八、适用场景高压快充、开关电源、半桥 DC‑DC 变换器无刷电机驱动器、变频水泵无线充电功率驱动局限无独立使能引脚内置死区固定不可修改驱动峰值电流 0.3A/0.6A适合中小功率 MOS超大功率 MOS 需要外加推挽缓冲。
