EG2106D 是屹晶微电子推出的国产单相半桥栅极驱动芯片SOP‑8 封装最高耐压 600V专门用于驱动 N 沟道 MOS 管、IGBT可用于半桥逆变电路是 IR2106 等进口驱动芯片的高性价比替代方案。芯片内部集成电平位移、欠压保护、脉冲滤波、图腾柱输出仅需一路供电 外围自举器件即可同时驱动上下桥功率管广泛用于开关电源、无刷电机、DC‑DC 变换器等电力电子设备。一、核心特性高压悬浮驱动高端悬浮耐压最高 600V采用自举方案不需要独立隔离电源给上桥供电。供电范围芯片 VCC 供电10V‑25VVCC、VB自举电源均内置欠压锁存 UVLO 保护电源电压不足时封锁输出防止 MOS 管工作在线性区损坏功率器件。逻辑电平兼容支持 3.3V/5V MCU 直接驱动输入引脚HIN、LIN 引脚内置 200kΩ 下拉电阻输入悬空时输出自动关闭避免功率管误导通提升系统安全性。驱动电流图腾柱输出拉电流0.3A灌电流0.6A适合中小栅极电荷 MOS 管大 Qg 功率管需要外加缓冲或者选用 EG2106S 高电流版本。开关性能最高工作频率500kHz开通延时典型 300ns关断延时典型 250ns上升时间 70ns下降时间 35ns高低侧通道延时匹配度好。封装合规SOP‑8 贴片无铅无卤符合 RoHS工业温度范围‑40℃~125℃。二、引脚定义详解引脚名称类型功能说明1VCC电源芯片供电10‑25V就近并联 1μF 高频去耦电容抑制电源噪声2HIN输入高端逻辑输入高电平有效控制 HO 输出3LIN输入低端逻辑输入高电平有效控制 LO 输出4GND地芯片功率地5LO输出低端栅极驱动输出接下管 MOS 栅极串栅极电阻6VS悬浮地高端悬浮参考地直接连接半桥中点上下 MOS 连接点 OUT7HO输出高端栅极驱动输出接上管 MOS 栅极串栅极电阻8VB悬浮电源自举电源引脚VB‑VS 之间接自举电容VCC 到 VB 接自举二极管注意芯片不会硬件自动防止上下管直通HIN、LIN 同时为高时 HO、LO 会同时输出高电平会造成半桥上下 MOS 同时导通烧毁功率管死区时间必须由 MCU 软件实现三、内部架构与工作原理芯片内部分为五大模块输入处理电路、逻辑控制电路、欠压保护、电平位移电路、图腾柱输出驱动电路。输入处理HIN/LIN 内置 200k 下拉电阻输入阈值高电平≥2.5V低电平≤1.0V可以直接接 MCU IO 口不需要额外电平转换。欠压保护 UVLOVCC 欠压开启典型 8.2V关断 7.7VVB 自举电源欠压开启 8.0V关断 7.0V电源低于阈值直接关闭 HO、LO 输出保护功率器件。电平位移电路把参考 VS 浮动的高端信号完成高低压域转换实现 600V 悬浮驱动。脉冲滤波抑制输入尖峰干扰避免误触发开关。图腾柱输出HO、LO 均为推挽输出拉电流 0.3A 用于给 MOS 栅极充电灌电流 0.6A 用于快速释放栅极电荷实现 MOS 快速关断。四、典型应用电路与自举原理自举电路工作原理VB、VS、自举二极管 D3、自举电容EG2106D 仅需要一路 VCC 供电依靠自举电路生成高端悬浮电源驱动上桥 N 沟道 MOS 管。充电阶段下管导通LO 输出高下管 MOS 导通VS 电位接近 GNDVCC 通过自举二极管 D3 给自举电容充电电容电压≈VCC。悬浮供电阶段上管导通HO 输出高下管关断VS 电位抬升到高压母线电压电容两端电压不能突变电容作为悬浮电源给 VB‑VS 供电驱动上管 MOS 导通。循环刷新每个开关周期下管必须至少短暂导通完成自举电容补电长时间占空比接近 100% 会导致自举电容电压跌落触发 VB 欠压保护上管无法维持导通电子工程专。外围器件选型要点栅极电阻 R1、R25‑20Ω。电阻越大开关速度变慢、损耗增加电阻太小栅极容易高频振荡。自举二极管 D3快恢复二极管反向耐压≥600V恢复时间尽量小承受高压母线。自举电容优先选低 ESR 陶瓷电容容值要大于 MOS 栅电荷 10 倍以上保证在最大占空比下电容压降不会触发 VB 欠压保护。VCC 旁路电容1μF 高频陶瓷电容紧靠 VCC 与 GND 引脚摆放降低驱动大电流脉冲带来的电源扰动。五、电气参数与设计约束极限参数VB 最大 600VVCC 最大 25V工作温度‑40~125℃储存温度‑55~150℃超过极限参数会造成芯片永久损坏。驱动电流限制拉电流仅 0.3A不适合栅电荷 Qg 很大的 MOS 管大 Qg 场景需要更换 EG2106S 版本拉电流 1A灌电流 1.5A或者增加外部栅极缓冲电路。直通风险芯片无硬件死区软件 PWM 必须设置死区严禁 HIN、LIN 同时输出高电平。最大占空比约束受自举电容充电能力限制不能长期 100% 占空比输出上管。六、应用场景高压快充开关电源、DC‑DC 变换器无线充电功率驱动无刷直流电机驱动器、变频水泵控制器小型单相半桥逆变电路七、总结EG2106D 是一款成本优势突出的国产 600V 半桥栅极驱动芯片外围器件少兼容 3.3V/5V 单片机输入自带欠压保护、输入下拉防误触发适合中小功率半桥电力电子设备。使用重点在于软件增加死区防止上下管直通、合理设计自举电路、栅极电阻匹配 MOS 管、注意驱动电流上限与最大占空比限制。
EG2106D 是屹晶微电子推出的国产单相半桥栅极驱动芯片SOP‑8 封装最高耐压 600V专门用于驱动 N 沟道 MOS 管、IGBT可用于半桥逆变电路是 IR2106 等进口驱动芯片的高性价比替代方案。芯片内部集成电平位移、欠压保护、脉冲滤波、图腾柱输出仅需一路供电 外围自举器件即可同时驱动上下桥功率管广泛用于开关电源、无刷电机、DC‑DC 变换器等电力电子设备。一、核心特性高压悬浮驱动高端悬浮耐压最高 600V采用自举方案不需要独立隔离电源给上桥供电。供电范围芯片 VCC 供电10V‑25VVCC、VB自举电源均内置欠压锁存 UVLO 保护电源电压不足时封锁输出防止 MOS 管工作在线性区损坏功率器件。逻辑电平兼容支持 3.3V/5V MCU 直接驱动输入引脚HIN、LIN 引脚内置 200kΩ 下拉电阻输入悬空时输出自动关闭避免功率管误导通提升系统安全性。驱动电流图腾柱输出拉电流0.3A灌电流0.6A适合中小栅极电荷 MOS 管大 Qg 功率管需要外加缓冲或者选用 EG2106S 高电流版本。开关性能最高工作频率500kHz开通延时典型 300ns关断延时典型 250ns上升时间 70ns下降时间 35ns高低侧通道延时匹配度好。封装合规SOP‑8 贴片无铅无卤符合 RoHS工业温度范围‑40℃~125℃。二、引脚定义详解引脚名称类型功能说明1VCC电源芯片供电10‑25V就近并联 1μF 高频去耦电容抑制电源噪声2HIN输入高端逻辑输入高电平有效控制 HO 输出3LIN输入低端逻辑输入高电平有效控制 LO 输出4GND地芯片功率地5LO输出低端栅极驱动输出接下管 MOS 栅极串栅极电阻6VS悬浮地高端悬浮参考地直接连接半桥中点上下 MOS 连接点 OUT7HO输出高端栅极驱动输出接上管 MOS 栅极串栅极电阻8VB悬浮电源自举电源引脚VB‑VS 之间接自举电容VCC 到 VB 接自举二极管注意芯片不会硬件自动防止上下管直通HIN、LIN 同时为高时 HO、LO 会同时输出高电平会造成半桥上下 MOS 同时导通烧毁功率管死区时间必须由 MCU 软件实现三、内部架构与工作原理芯片内部分为五大模块输入处理电路、逻辑控制电路、欠压保护、电平位移电路、图腾柱输出驱动电路。输入处理HIN/LIN 内置 200k 下拉电阻输入阈值高电平≥2.5V低电平≤1.0V可以直接接 MCU IO 口不需要额外电平转换。欠压保护 UVLOVCC 欠压开启典型 8.2V关断 7.7VVB 自举电源欠压开启 8.0V关断 7.0V电源低于阈值直接关闭 HO、LO 输出保护功率器件。电平位移电路把参考 VS 浮动的高端信号完成高低压域转换实现 600V 悬浮驱动。脉冲滤波抑制输入尖峰干扰避免误触发开关。图腾柱输出HO、LO 均为推挽输出拉电流 0.3A 用于给 MOS 栅极充电灌电流 0.6A 用于快速释放栅极电荷实现 MOS 快速关断。四、典型应用电路与自举原理自举电路工作原理VB、VS、自举二极管 D3、自举电容EG2106D 仅需要一路 VCC 供电依靠自举电路生成高端悬浮电源驱动上桥 N 沟道 MOS 管。充电阶段下管导通LO 输出高下管 MOS 导通VS 电位接近 GNDVCC 通过自举二极管 D3 给自举电容充电电容电压≈VCC。悬浮供电阶段上管导通HO 输出高下管关断VS 电位抬升到高压母线电压电容两端电压不能突变电容作为悬浮电源给 VB‑VS 供电驱动上管 MOS 导通。循环刷新每个开关周期下管必须至少短暂导通完成自举电容补电长时间占空比接近 100% 会导致自举电容电压跌落触发 VB 欠压保护上管无法维持导通电子工程专。外围器件选型要点栅极电阻 R1、R25‑20Ω。电阻越大开关速度变慢、损耗增加电阻太小栅极容易高频振荡。自举二极管 D3快恢复二极管反向耐压≥600V恢复时间尽量小承受高压母线。自举电容优先选低 ESR 陶瓷电容容值要大于 MOS 栅电荷 10 倍以上保证在最大占空比下电容压降不会触发 VB 欠压保护。VCC 旁路电容1μF 高频陶瓷电容紧靠 VCC 与 GND 引脚摆放降低驱动大电流脉冲带来的电源扰动。五、电气参数与设计约束极限参数VB 最大 600VVCC 最大 25V工作温度‑40~125℃储存温度‑55~150℃超过极限参数会造成芯片永久损坏。驱动电流限制拉电流仅 0.3A不适合栅电荷 Qg 很大的 MOS 管大 Qg 场景需要更换 EG2106S 版本拉电流 1A灌电流 1.5A或者增加外部栅极缓冲电路。直通风险芯片无硬件死区软件 PWM 必须设置死区严禁 HIN、LIN 同时输出高电平。最大占空比约束受自举电容充电能力限制不能长期 100% 占空比输出上管。六、应用场景高压快充开关电源、DC‑DC 变换器无线充电功率驱动无刷直流电机驱动器、变频水泵控制器小型单相半桥逆变电路七、总结EG2106D 是一款成本优势突出的国产 600V 半桥栅极驱动芯片外围器件少兼容 3.3V/5V 单片机输入自带欠压保护、输入下拉防误触发适合中小功率半桥电力电子设备。使用重点在于软件增加死区防止上下管直通、合理设计自举电路、栅极电阻匹配 MOS 管、注意驱动电流上限与最大占空比限制。
